سابقه و هدف: نانوذرات مغناطیسی، بعد از پوشش دهی، خاصیت اشباع مغناطیسی و در نتیجه قابلیت جذب آهنربایی در فرآیند جداسازی کاهش می‌یابد. در این مقاله پوشش دهی نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن با ضخامت بسیار نازکی از پوشش سیلیکا بررسی شده است که علاوه بر پایدارشدن نانوذرات از خاصیت مغناطیسی آن ها نیز کاسته نمی‌شود..
مواد و روشها: این فرآیند با استفاده از ماده شیمیایی تترا اتوکسی سیلان انجام می شود. نانو ذرات مغناطیسی مگنتیت با پوشش سیلیکونی به وسیله روش هم رسوبی سنتز می شود و توسط دستگاه های طیف سنجی مادون قرمز، میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه ایکس و مغناطیس سنج ارتعاشی مشخصه یابی می شود.
یافته ها: طیف سنجی مادون قرمز(FTIR) و پراش اشعه ایکس(XRD) گروه های عاملی سیلیکا را برروی نانو ذرات نشان می دهد. اندازه ذرات با توجه به تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) تقریبا 40 نانو متر است. عدم کاهش خاصیت مغناطیسی در قبل و بعد از پوشش دهی با مغناطیس سنج ارتعاشی (VSM) تایید شد.
بحث: این مطالعه نشان داد که می توان برای کاربردهایی بر مبنای خاصیت مغناطیسی، از نانو ذرات مغناطیسی پایدارشده با پوشش سلیکونی استفاده کرد که خاصیت مغناطیسی خود را حفظ نموده اند.
نتیجه گیری: در این مقاله روشی پیشنهاد شده است که بر مبنای آن، با کاهش ضخامت پوسته سیلیکونی از میزان اشباع مغناطیسی نانو ذره هسته – پوسته در مقایسه با هسته مغناطیسی نانو ذره کاسته نشده است. بنابراین با وجود حفاظت از هسته با یک پوشش پایدار و زیست سازگار، قدرت جداسازی نانو سامانه در میدان مغناطیسی معین، بدون تغییر باقی مانده است.
دریافت: 1395/6/29 | پذیرش: 1395/6/29 | انتشار: 1395/6/29
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |